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防静电脚腕带厂家教您单路静电释放保护器件的制作方法

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防静电脚腕带厂家教您单路静电释放保护器件的制作方法

发布日期:2016-04-28 00:00 来源:http://www.dgsx0769.com 点击:

      随着集成电路工艺的不断发展,晶体管尺寸已经缩减到亚微米甚至深亚微米阶段。器件物理尺寸的减小,大大提高了电路的集成度,但是高集成度器件的可靠性问题也随之而来。ESD (Electro-Static Discharge,静电释放)就是引起电子设备与元器件失效的最主要原因之一。这主要是因为,随着元器件尺寸的缩小,例如场效应元件的栅极氧化层厚度逐渐变薄,这种变化虽然可以大幅度的提高电路的工作效率,但是却可能使电路变得更加脆弱,从而在受到静电冲击时,电路很容易失效。为了解决由于ESD而造成的电子设备和元器件的可靠性问题,业内考虑在集成电路中引入具有较高性能、较高耐受力的ESD保护器件(也可称之为静电阻抗器XESD保护器件一般配置在电路的信号线路与接地端之间,电路正常工作状态下,ESD保护器件两端被中间的介质层隔开,呈现出高阻状态,信号不会通过ESD保护器件而流入接地端。当电路受到ESD影响时,例如人皮肤上的静电施加在电路上时,电路中可能出现一个很大的电压值,大电压的产生使得ESD保护器件两端出现大的电势差,此时ESD保护器件被击穿,由高阻状态转变为导通状态,这样就将静电导入到接地端,进而避免了工作电路因为电压过大造成的损坏。静电导出后ESD保护器件两端的电势差随之消失,ESD保护器件又回到高阻状态。当前,高速信号传输的应用越来越多,ESD保护器件自身的寄生电容越大对高速信号传输所造成的信号失真、 损耗影响也就越大。现有技术中的ESD保护器件是利用PN结的反向击穿原理来达到静电保护的目的,其采用的是半导体制作工艺,因此,此类ESD保护器件往往要用较高的制造成本才能达到超小寄生电容容值与漏电流电流值(例如,实现小于O.2pf的寄生电容容值和小于IOOnA的漏电流流值)。此外,通过此类ESD防静电脚腕带保护器件的电流过大时,可能会造成ESD器件炸裂而形成开路现象。

      本发明实施例公开了单路ESD保护器件,包括下体和保护上体,下体包括第一基材和第一树脂层,第一基材包括第一导电层、第二导电层和位于第一导电层和第二导电层之间的第一绝缘层,第一基材上加工有填充有导电物质的第一孔和第二孔,其中,第一导电层的第一导电区域通过第一孔通内的导电物质与第二导电层的第三导电区域导通,第一导电层的第二导电区域通过第二孔通内的导电物质与第二导电层的第四导电区域导通;其中,下体还具有从第一树脂层贯穿至第一绝缘层的N个孔,第一导电层的第一导电区域通过N个孔内的浆料,与第二导电区域相接。本发明实施例方案有利于降低ESD保护器件的制作成本、提高ESD保护器件的安全性。


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